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申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司
摘要:根据实施例,一种RF放大器包括:第一放大器,包括第一晶体管,所述第一晶体管被耦合到第一供给节点,所述第一供给节点被配置为提供第一供给电压,所述第一晶体管具有第一装置周界;第二放大器,包括第二晶体管,所述第二晶体管被耦合到第二供给节点,所述第二供给节点被配置为提供高于所述第一供给电压的第二供给电压,所述第二晶体管具有第二装置周界;和组合网络,被耦合到所述第一放大器的输出、所述第二放大器的输出和RF输出端口。所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为保持0.3和1.0之间的结温比,并且所述结温比是所述第一放大器的温度与所述第二放大器的温度之比。
主权项:1.一种RF放大器,包括:第一放大器,包括第一晶体管,所述第一晶体管被耦合到第一供给节点,所述第一供给节点被配置为提供第一供给电压,所述第一晶体管具有第一装置周界;第二放大器,包括第二晶体管,所述第二晶体管被耦合到第二供给节点,所述第二供给节点被配置为提供高于所述第一供给电压的第二供给电压,所述第二晶体管具有第二装置周界;和组合网络,被耦合到所述第一放大器的输出、所述第二放大器的输出和RF输出端口,其中:所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为保持0.3和1.0之间的结温比,并且所述结温比是所述第一放大器的温度与所述第二放大器的温度之比。
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百度查询: 英飞凌科技股份有限公司 RF放大器
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