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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请公开了异质键合结构及其制备方法、电子设备，属于半导体技术领域。该异质键合结构包括：第一衬底、第二衬底、形成于第一衬底上的第一插层、形成于第二衬底上的第二插层；第一插层和第二插层通过键合方式相结合，第一插层和第二插层中的一个具有槽状对称图形，槽状对称图形被配置为用于缓解晶格应力和热应力中的至少一个。槽状对称图形能够缓解第一衬底与第二衬底之间的晶格失配和或热失配，缓解界面的晶格应力和或热应力，抑制界面的位错延伸和迁移，提升异质键合结构的可靠性和稳定性。另外，还能够有效排出键合退火时所产生的挥发性物质，减少界面空洞，有效提升键合良率。
主权项：1.一种异质键合结构，其特征在于，所述异质键合结构包括：第一衬底、第二衬底、形成于所述第一衬底上的第一插层、形成于所述第二衬底上的第二插层；所述第一插层和所述第二插层通过键合方式相结合，所述第一插层和所述第二插层中的一个具有槽状对称图形，所述槽状对称图形被配置为用于缓解晶格应力和热应力中的至少一个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 异质键合结构及其制备方法、电子设备
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