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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所;无锡中微晶园电子有限公司
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117995892A
主分类号：H01L29/732
分类号：H01L29/732;H01L29/08;H01L21/331;H01L29/73;H01C7/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，特别涉及一种可消除热斑的高可靠功率晶体管结构及制备方法。包括：N+衬底，以形成N+集电区；N‑外延层，布设于所述N+衬底的顶部，以形成N‑外延区；P型基区，布设于所述N‑外延层的内部顶部；N+发射区，布设于所述P型基区的内部顶部；金属电极，包括基区电极、发射区电极和集电区电极；两个所述基区电极分别对称布设于所述P型基区的顶部两侧，所述发射区电极布设于所述N+发射区的顶部，所述集电区电极布设于所述N+衬底的背面；本发明镇流电阻随温度的升高快速增加，能够有效的限制器件的输出电流，达到消除大功率器件热斑的效果。
主权项：1.一种可消除热斑的高可靠功率晶体管结构，其特征在于，包括：N+衬底，以形成N+集电区；N-外延层，布设于所述N+衬底的顶部，以形成N-外延区；P型基区，布设于所述N-外延层的内部顶部；N+发射区，布设于所述P型基区的内部顶部；金属电极，包括基区电极、发射区电极和集电区电极；两个所述基区电极分别对称布设于所述P型基区的顶部两侧，所述发射区电极布设于所述N+发射区的顶部，所述集电区电极布设于所述N+衬底的背面；镇流电阻，通过所述镇流电阻实现对所述发射区电极中的上下两段电极导通；其中所述镇流电阻采用具有正温度系数的钛酸钡电阻，该钛酸钡电阻的居里温度点为150℃~175℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所;无锡中微晶园电子有限公司 一种可消除热斑的高可靠功率晶体管结构及制备方法
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