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申请/专利权人：松山湖材料实验室
申请日：2022-11-01
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117995925A
主分类号：H01L31/032
分类号：H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/09;H01L31/18;C01G9/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本申请涉及光电领域，具体而言，涉及一种Cs2SnI6薄膜的制备方法以及光电器件。本申请提供一种Cs2SnI6薄膜的制备方法，包括：向CsI与SnI4的混合液中加入硫脲，得到Cs2SnI6前驱液；将Cs2SnI6前驱液旋涂于衬底上，得到前驱膜；将前驱膜退火。采用本申请的制备方法，能够极大地降低Cs2SnI6薄膜中的CsI等杂质，增加Cs2SnI6晶体的含量，减少晶面取向。并且有望获得单一取向的Cs2SnI6薄膜，从而能够降低晶界增加的可能性，有望提高Cs2SnI6薄膜的光电性能，将其应用于光电器件领域，有望提高光电器件的光电性能。
主权项：1.一种Cs2SnI6薄膜的制备方法，其特征在于，包括：向CsI与SnI4的混合液中加入硫脲，得到Cs2SnI6前驱液；将所述Cs2SnI6前驱液旋涂于衬底上，得到前驱膜；将所述前驱膜退火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 松山湖材料实验室 Cs2SnI6薄膜的制备方法以及光电器件
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