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申请/专利权人：西部数据技术公司
申请日：2023-10-17
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117998968A
主分类号：H10N50/10
分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N50/85;H10B61/00;G11B5/53;G11B5/66
优先权：["20221101 US 63/421,487","20230725 US 18/226,111"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本公开整体涉及包括磁记录头的磁记录设备。该磁记录头包括主极、热晶种层以及设置在该主极和该热晶种层之间的自旋电子设备。该自旋电子设备包括两个场生成层FGL、两个自旋极化层SPL和两个自旋抑制层。该自旋电子设备的该第二SPL驱动该第二FGL。该自旋电子设备还包括被设置成与该自旋抑制层中的至少一者接触的一个或多个任选薄负β材料层，诸如包括FeCr的层。当施加电流时，该自旋抑制层和任选负β材料层消除或减小该FGL与该SPL之间的任何自旋转矩。
主权项：1.一种磁记录头，包括：屏蔽件；主极；和自旋电子设备，所述自旋电子设备设置在所述屏蔽件和所述主极之间，所述自旋电子设备包括：第一自旋抑制层；第一自旋极化层；第一场生成层；第一负β材料层；第二自旋抑制层；第二自旋极化层；和第二场生成层，其中所述第二场生成层设置在所述主极上方，所述第二自旋极化层设置在所述第二场生成层上方，所述第二自旋抑制层设置在所述第二自旋极化层上，所述第一负β材料层被设置成与所述第二自旋抑制层接触，所述第一场生成层设置在所述第一负β材料层上方，所述第一自旋极化层设置在所述第一场生成层上方，并且所述第一自旋抑制层设置在所述第一自旋极化层上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西部数据技术公司 包括双FGL和双SPL以减小写入位置处的垂直场的自旋电子设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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