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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2022-08-05
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117999640A
主分类号：H01L21/321
分类号：H01L21/321;H01L21/3205;H01L21/3105;H01L21/02
优先权：["20210813 US 17/401,574"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸，且缝隙或孔洞由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的含硅材料界定。方法也可包括用含氢气体处理含硅材料，含氢气体诸如含氢气体的等离子体流出物，这可使得缝隙或孔洞的大小减小。
主权项：1.一种半导体处理方法，包括：向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物，其中基板设置在所述半导体处理腔室的所述处理区域内，且其中所述基板界定沿所述基板的一个或多个凹陷特征；在所述基板上沉积含硅材料，其中所述含硅材料沿所述基板在所述一个或多个凹陷特征内延伸，且其中缝隙或孔洞由沿所述基板的所述一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的所述含硅材料界定；在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成含氢气体的等离子体；以及用所述含氢气体的等离子体流出物处理所述含硅材料，其中所述等离子体流出物导致所述缝隙或孔洞的大小减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 高深宽比间隙填充内的缝隙移除
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