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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2024-02-01
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117995655A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/203;H01L21/20;C30B25/02;C30B29/40
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本公开提供一种III‑V族半导体低维结构的选区分子束外延制备方法，包括：将图形化衬底放置于分子束外延设备中，在图形化衬底上同时生长III‑V族半导体形核层和III族液滴；以III族液滴和III族源炉束流同时作为III‑V族半导体低维结构生长所需的III族源材料，在III‑V族半导体形核层上原位外延生长III‑V族半导体低维结构。该方法通过将III‑V族半导体的成核过程和外延生长过程进行分离，并在外延生长过程中采用双III族源生长的方式扩展III‑V族半导体的外延生长参数区间，从而实现高质量III‑V族半导体低维结构的选区分子束外延生长。
主权项：1.一种III-V族半导体低维结构的选区分子束外延制备方法，包括：将图形化衬底放置于分子束外延设备中，在所述图形化衬底上同时生长III-V族半导体形核层和III族液滴；以所述III族液滴和III族源炉束流同时作为所述III-V族半导体低维结构生长所需的III族源材料，在所述III-V族半导体形核层上原位外延生长所述III-V族半导体低维结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 III-V族半导体低维结构的选区分子束外延制备方法
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