申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请日：2021-12-23

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN114337233B

主分类号：H02M1/38

分类号：H02M1/38;H02M1/08;H02M1/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.07#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：本发明公开一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路，属于开关电源领域。通过实时检测开关节点SW的电压变化情况，产生控制信号，对高侧或低侧输入控制信号进行延迟，即在开关节点SW下降沿处，通过对低侧输入控制信号进行延迟，在开关节点SW上升沿处，通过对高侧输入控制信号进行延迟，从而产生死区时间，实现死区优化；解决了传统固定死区时间设置过长带来的较大的反向导通损耗问题，提高转换效率。

主权项：1.一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路，其特征在于，包括过零检测模块和死区控制模块；所述过零检测模块实时检测开关节点SW的电压变化情况，产生控制信号至所述死区控制模块；所述死区控制模块对高侧输入信号HI和低侧输入信号LI进行延迟，即在开关节点SW下降沿处通过对低侧输入信号LI进行延迟，在开关节点SW上升沿处通过对高侧输入信号HI进行延迟，从而产生死区时间，实现死区优化；所述过零检测模块包括偏置电流IBIAS、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一二极管D1、第二二极管D2、电阻R1和电压比较器COMP；其中所述偏置电流IBIAS的一端同时接第三PMOS管MP3的漏端和栅端、第二PMOS管MP2的栅端、第一PMOS管MP1的栅端，所述偏置电流IBIAS的另一端接地；第一PMOS管MP1的源端、第二PMOS管MP2的源端、第三PMOS管MP3的源端均接电源VDD；第一PMOS管MP1的漏端接节点V1，第二PMOS管MP2的漏端接节点V2；电阻R1的一端接节点V1，另一端接第一二极管D1的阳极，第一二极管D1的阴极接开关节点SW，其中节点V1的电压由偏置电流IBIAS、第一PMOS管MP1的宽长比和第三PMOS管MP3的宽长比、电阻R1阻值、第一二极管D1的正向导通电压、开关节点SW的电压共同决定，第二二极管D2的阳极接节点V2，阴极接地，其中节点V2的电压由第二二极管D2的正向导通电压决定；电压比较器COMP的正输入端接节点V2，负输入端接节点V1，输出端接节点Vsence，用于比较节点V1和节点V2的电压，所述节点V1的电压随着开关节点SW的电压变化而变化，当节点V1的电压大于节点V2的电压时，节点Vsence输出低电平，反之输出高电平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路

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