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申请/专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日：2022-12-13
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN115942860B
主分类号：H10N52/01
分类号：H10N52/01;H10N52/85;H10N52/80
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.07#授权;2023.04.25#实质审查的生效;2023.04.07#公开
摘要：本申请涉及一种磁敏感薄膜转移方法、装置、计算机设备、存储介质、计算机程序产品和磁敏感器件。所述方法包括：在第一衬底层上生长氧化物外延磁敏感薄膜层，氧化物外延磁敏感薄膜层依次包括牺牲层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层；将第二衬底层与第二保护层结合；通过准分子激光辐照破坏牺牲层，以使得第二衬底层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层所形成的第一结构与第一衬底层分离。整个磁敏感薄膜转移过程，基于第一衬底层，生长包含牺牲层的氧化物外延磁敏感薄膜层，通过激光辐照破坏牺牲层，使得第二衬底层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层所形成的第一结构与第一衬底层分离，采用本方法能够实现可靠的磁敏感薄膜转移。
主权项：1.一种磁敏感薄膜转移方法，其特征在于，所述方法包括：在第一衬底层上生长氧化物外延磁敏感薄膜层，所述氧化物外延磁敏感薄膜层依次包括牺牲层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层；其中，所述磁敏感功能层具有导电磁敏感特性；所述磁敏感功能层为隧穿磁阻型多层薄膜结构或者巨磁阻型多层薄膜结构；所述第一保护层、所述第二保护层用于保护所述磁敏感功能层；其中，所述第一保护层和所述第二保护层的材料与所述第一衬底层的材料相同；所述牺牲层的材料包括钴酸镍或铁酸钴；所述第一保护层的材料包括铝酸镁或氧化镁；所述第一衬底层、所述牺牲层、所述第一保护层、所述磁敏感功能层、所述第二保护层的材料均为001晶面取向；将第二衬底层与所述第二保护层结合；通过准分子激光辐照破坏牺牲层，以使得所述第二衬底层、所述第一保护层、所述磁敏感功能层和所述第二保护层所形成的第一结构与所述第一衬底层分离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南方电网数字电网研究院有限公司 磁敏感薄膜转移方法和磁敏感器件
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