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申请/专利权人：湖南恩智测控技术有限公司
申请日：2023-06-01
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN116865203B
主分类号：H02H3/08
分类号：H02H3/08;H02H1/00;H02M1/088
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.07#授权;2023.10.27#实质审查的生效;2023.10.10#公开
摘要：本申请公开了一种电子负载过流保护方法、电子负载和计算机可读存储介质，通过以一个MOSFET支路作为基准支路，其余MOSFET支路作为目标支路，实时同步采集基准电流数据和多个目标电流数据，根据基准电流数据和多个目标电流数据确认电子负载是否出现过流，当电子负载出现过流，关闭电子负载，相较于传统的电子负载过流保护方法，直接根据MOSFET支路对应的基准电流数据和目标电流数据，快速判断电子负载是否出现过流，进而及时关闭电子负载，避免MOSFET支路中的功率器件被烧毁，保护性能好。
主权项：1.电子负载过流保护方法，应用于电子负载，所述电子负载包括多个并联的MOSFET支路，其特征在于，包括：以一个所述MOSFET支路作为基准支路，其余所述MOSFET支路作为目标支路；实时同步采集基准电流数据和多个目标电流数据，多个所述目标电流数据与多个所述目标支路一一对应，所述基准电流数据包括采样时间节点和与所述采样时间节点对应的基准电流值，所述基准电流值为所述基准支路的电流值，所述目标电流数据包括所述采样时间节点和与所述采样时间节点对应的目标电流值，所述目标电流值为所述目标支路的电流值；根据所述基准电流数据和多个所述目标电流数据确认所述电子负载是否出现过流，当所述电子负载出现过流，关闭所述电子负载；通过如下步骤确认所述电子负载是否出现过流：根据所述基准电流数据和所述目标电流数据得到差电流数据，所述差电流数据包括所述采样时间节点和与所述采样时间节点对应的差电流值，所述差电流值为对应所述采样时间节点的所述基准电流值和所述目标电流值之差的绝对值；根据所述差电流数据建立差电流时间对应关系；当所述差电流时间对应关系的斜率持续t秒大于a，则确认所述电子负载出现过流，其中，t为正数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南恩智测控技术有限公司 电子负载过流保护方法、电子负载和计算机可读存储介质
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