申请/专利权人：南京微盟电子有限公司

申请日：2023-09-06

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117081555B

主分类号：H03K17/22

分类号：H03K17/22

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.07#授权;2023.12.05#实质审查的生效;2023.11.17#公开

摘要：本发明涉及一种复位电路，具体说是具有两级迟滞的高可靠性上电复位电路。它的特点是包括电源、一级迟滞电路、二级迟滞电路和输出电路。所述电源分别与一级迟滞电路和二级迟滞电路适配连接，用于为一级迟滞电路和二级迟滞电路提供驱动电压。所述一级迟滞电路与二级迟滞电路适配连接，二级迟滞电路与输出电路适配连接，偏置电压通过一级迟滞电路、二级迟滞电路产生控制信号、经过输出电路形成复位信号。该复位电路可避免出现不复位的问题，可靠性较好。

主权项：1.高可靠性上电复位电路，其特征在于，包括电源、一级迟滞电路、二级迟滞电路和输出电路；所述电源分别与一级迟滞电路和二级迟滞电路适配连接，用于为一级迟滞电路和二级迟滞电路提供驱动电压；所述一级迟滞电路与二级迟滞电路适配连接，二级迟滞电路与输出电路适配连接，偏置电压通过一级迟滞电路、二级迟滞电路产生控制信号、经过输出电路形成复位信号；所述一级迟滞电路含有MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4和MOS管N5；所述MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3和MOS管P4的源极均与电源相连，所述MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3和MOS管N4的栅极均接偏置电压；所述MOS管P1的栅极分别与其漏极和MOS管P2的栅极相连，MOS管P1的漏极与MOS管N2的漏极相连，MOS管N2的源极与MOS管N1的漏极相连，MOS管N1的源极接地；所述MOS管P2的漏极与MOS管N5的漏极相连，MOS管N5的栅极与MOS管P3的栅极相连，MOS管N5的源极与所述MOS管N1的漏极相连；所述MOS管P3的栅极分别与其漏极和MOS管N3的漏极相连，MOS管N3的源极接地；所述MOS管P4的栅极与MOS管N5的漏极相连，MOS管P4的漏极分别与倒相器INV1的输入端和MOS管N4的漏极相连，MOS管N4的源极接地；所述倒相器INV1的输出端与二级迟滞电路相连；所述二级迟滞电路含有器件一、MOS管P6、器件二、MOS管N7、MOS管N8和MOS管N9，器件一和器件二均等效为具有开关功能的大电阻，器件一为低电平导通、高电平截止，器件二为为高电平导通、低电平截止；所述倒相器INV1的输出端分别与器件一和器件二的控制端相连，器件一的一端与电源相连，器件一的另一端与MOS管N7的漏极和栅极相连，MOS管N7的源极分别与器件二的一端、电容C1的一端、MOS管P6的栅极、MOS管N8的栅极和MOS管N9的栅极相连，器件二的另一端和电容C1的另一端接地；所述MOS管P6的源极与电源相连，MOS管P6的漏极与MOS管N8的漏极相连，MOS管N8的漏极与所述输出电路相连，MOS管N8的源极与MOS管N9的漏极相连，MOS管N9的源极接地。

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