龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日：2023-08-31
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN220914242U
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.07#授权
摘要：本公开提供一种集成混合式PiN‑肖特基二极管的碳化硅MOSFET，可通过调节p+区域的宽度，自芯片边缘至芯片中央呈递增的非均匀分布规律，降低芯片中央区域较高的结温，使芯片的温度分布较为均匀；同时通过集成混合PiN‑肖特基二极管增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，避免外接续流二极管，从而降低电路设计复杂度和系统成本，提高SiCMOSFET可靠性。
主权项：1.一种集成混合式PiN-肖特基二极管的碳化硅MOSFET，其特征在于：包括多个元胞，每个元胞包括缓冲层、漂移区及漂移层区域中间隔嵌有p区，p区嵌有n+源区和p+区，栅氧化层上表面设有多晶硅栅，栅氧化层和多晶硅栅的外表面共同包裹有隔离介质层；每个元胞在p区一侧的p+区的第一部分之上布置有第一欧姆金属，第一欧姆金属与p+区的第一部分构成第一欧姆接触；两个相邻p+区之间的漂移区构成肖特基区，肖特基区之上设置有肖特基金属；在n+源区和p+区的第二部分上设置有第二欧姆金属，第二欧姆金属和n+源区和p+区的第二部分之间构成源极欧姆接触；其中，靠近碳化硅MOSFET中心部分的元胞，相比处于碳化硅MOSFET边缘部分的元胞，其p+区宽度大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 一种集成混合式PiN-肖特基二极管的碳化硅MOSFET
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号