申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2021-06-23

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN118019331A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要：本发明公开了一种半导体结构，其包括：一衬底；一第一电介质层位于该衬底上；一第二电介质层位于该第一电介质层上；一接触结构位于该衬底的该第一电介质层和该第二电介质层中；以及一钝化层位于该第一电介质层上，其中，该钝化层接触该第二电介质层的一侧壁以及该接触结构的一侧壁。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括:一衬底；一第一电介质层位于该衬底上；一第二电介质层位于该第一电介质层上；一接触结构位于该衬底的该第一电介质层和该第二电介质层中；以及一钝化层位于该第一电介质层上，其中，该钝化层接触该第二电介质层的一侧壁以及该接触结构的一侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体结构及其制作方法

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