申请/专利权人：南京京胜科技有限公司

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN118007104A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/458

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.10#公开

摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体硅片镀膜装置及其方法，包括反应室和反应室上连接的反应盖，反应室的内部安装有多组分隔块，多组分隔块用于将反应室中分隔成与进气管贯通的气流通道，气流通道的中心处且在反应盖底部安装有蓄气室，蓄气室的内部设置有蓄气装置，气流通道内在反应室的内壁环形分布有多组排气管，多组排气管的外部转动安装有石英舟座，蓄气室的底部连接有出气机构。经过出气机构将反应后气体依次引入至气流通道的多组石英舟座内，装片量大，使反应后气体不断的接触硅片表面发生化学反应形成沉积物，并逐渐在硅片的两面增长构成薄膜，经过两次的不同程度与硅片接触进行镀膜，无需翻转，使硅片表面薄膜厚度均匀性好。

主权项：1.一种半导体硅片镀膜装置，包括反应室1和反应室1上连接的反应盖2，所述反应室1的两侧均设置有进气管3，所述反应盖2的一侧连接有用于储存保护气体的气罐4，其特征在于：所述反应室1的内部安装有多组分隔块10，多组分隔块10用于将反应室1中分隔成与进气管3贯通的气流通道，且分隔块10的内部还设置有电阻加热器13；所述气流通道的中心处且在反应盖2底部安装有蓄气室9；所述气罐4通过连管14连接反应盖2的顶端，所述连管14的末端分别连接蓄气室9和反应室1；所述蓄气室9的两侧开设有与进气管3对应的进风口11，蓄气室9的内部设置有蓄气装置5，蓄气装置5用于将进气管3和连管14输入的气体在蓄气室9内进行反应；所述气流通道内在反应室1的内壁环形分布有多组排气管12，多组排气管12的外部转动安装有石英舟座7，石英舟座7的内部开设有用于夹持硅片的梯形槽8；所述蓄气室9的底部连接有出气机构6，出气机构6用于将反应后气体依次引入至气流通道的多组石英舟座7内。

全文数据：

权利要求：

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