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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明提供了一种基于MXeneNbOX材料的忆阻器件及其制备方法。该忆阻器件的结构为铂电极MXeneNbOX钨电极，由顶电极、阻变层和底电极依次排列而成。其中阻变层包括介质层和覆盖在其上方的MXene材料膜。本发明引入二维材料作为NbOX阻变层的组成部分，赋予器件出色的阈值切换特性和稳定性，这对于模拟神经网络中的突触和神经元可塑性具有重要意义。此外，所提供的忆阻器件制备方法简便高效，成本低，适用于工业规模生产。
主权项：1.一种基于MXeneNbOX材料的忆阻器件，其特征在于，该忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极的形状大小与衬底一致；阻变层包括介质层和位于介质层上方的MXene材料膜，顶电极通过掩膜板溅射的方式施加在MXene材料膜的顶部，底电极的顶部与介质层相接触，底电极的底部与衬底相接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种基于MXene/NbOX材料的叠层结构忆阻器件的制备方法
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