申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN118016601A

主分类号：H01L21/8249

分类号：H01L21/8249;H01L27/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要：本发明公开了一种本发明NPN的制造方法包括：步骤一、在半导体衬底上形成NPN的集电区、基区和发射区。集电区的第一主体区位于基区的第二主体区的底部。发射区位于所述第二主体区的选定区域中。基区的第二引出区位于第二主体区的选定区域中。集电区的第一引出区位于所述第二主体区外。在发射区、第二引出区和第一引出区之间通过场氧化层隔离。场氧化层在发射区和第一引出区之间引入氧空位缺陷和界面态陷阱。步骤二、依次形成层间膜、接触孔、正面金属层和钝化层，打开钝化层形成衬垫。步骤三、进行UVC照射对NPN的电流放大系数进行调节。本发明能调节器件的电流放大系数，工艺简单且不会影响器件的其他性能。

主权项：1.一种NPN的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、在半导体衬底上形成NPN的集电区、基区和发射区；所述集电区的第一主体区位于所述基区的第二主体区的底部；所述发射区位于所述第二主体区的选定区域中；所述基区的第二引出区位于所述第二主体区的选定区域中；所述集电区的第一引出区位于所述第二主体区外，所述第一引出区穿过所述第二主体区实现和所述第一主体区的接触；在所述发射区、所述第二引出区和所述第一引出区之间通过场氧化层隔离；所述场氧化层在所述发射区和所述第一引出区之间引入氧空位缺陷和界面态陷阱；所述界面态陷阱位于所述第二主体区和所述场氧化层之间的界面，所述氧空位缺陷位于所述场氧化层中；步骤二、依次形成层间膜、接触孔、正面金属层和钝化层，打开所述钝化层形成衬垫；步骤三、对所述NPN的电流放大系数进行调节，包括：进行UVC照射产生电子空穴对并使空穴被所述氧空位缺陷捕获形成氧化物陷阱电荷以及被所述界面态陷阱捕获形成界面态陷阱电荷，通过设置所述氧化物陷阱电荷和所述界面态陷阱电荷的数量来调节所述NPN的电流放大系数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 NPN的制造方法

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