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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日：2024-02-04
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016124A
主分类号：G11C13/00
分类号：G11C13/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本申请涉及忆阻器阵列列电流读出电路及装置，提出了一种新颖的基于电流补偿和积分时间采样的列电流读出电路来量化RRAM阵列中的乘累加列电流。其核心构思是将列电流进行稳定、补偿和镜像后对一个小的积分电容充电，随后利用多个彼此之间的延时被精确设计过的时钟信号对积分跳变信号进行采样，最后将采样结果直接编码为数字量实现读出。并且，此电路采用了一个电流补偿机制来消除高阻值的RRAM单元对电流读出精度的影响，从而实现在低阻值开关比的RRAM阵列中的精确读出，满足了合适精度的高速低功耗面积小的读电路需求。
主权项：1.一种忆阻器阵列列电流读出电路，其特征在于，包括偏置电路、深度负反馈电路、电流补偿电路、积分时间产生电路、时间采样电路、参考信号产生电路和编码电路；所述偏置电路分别连接所述深度负反馈电路和所述积分时间产生电路，所述偏置电路和所述深度负反馈电路均用于连接忆阻器阵列的列线输出端，所述积分时间产生电路分别连接所述深度负反馈电路、所述电流补偿电路和所述时间采样电路，所述时间采样电路分别连接所述参考信号产生电路和所述编码电路，所述编码电路的输出端用于输出所述忆阻器阵列的列线电流的数字量；所述偏置电路用于为所述深度负反馈电路提供偏置电压，所述深度负反馈电路用于稳定列线端口的电压，所述电流补偿电路用于对列电流中由高阻态忆阻器产生的电流进行补偿，所述积分时间产生电路用于将经过稳定与补偿后的输入电流转换为时间跳变信号，所述时间采样电路用于对所述时间跳变信号的跳变点进行采样，所述参考信号产生电路用于提供所述时间采样电路所需的参考时间信号，所述编码电路用于将所述时间采样电路产生的多个采样结果信号编码为读出结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 忆阻器阵列列电流读出电路及装置
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