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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
申请日：2024-01-12
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016688A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明涉及一种宽禁带半导体MOSFET器件结构及其制作方法。该MOSFET器件元胞区域的栅极沟槽底部以及终端区均制作有掩蔽区，所述掩蔽区位于外延层中且其内部制作有电荷存储岛，所述电荷存储岛与掩蔽区的掺杂相反。本发明通过在元胞区域的栅极沟槽底部形成掩蔽区，并在掩蔽区内制作电荷存储岛，掩蔽区不需要接地，栅极沟槽下方构造的掩蔽区，可以有效降低槽角处的电场，内部的电荷存储岛在动态开关时会协助掩蔽区耗尽后的恢复，从而避免了掩蔽区在正向恢复过程中由于电荷积累和恢复弛豫而失去底部电场屏蔽效果，也避免了掩蔽区电压浮动带来的动态特性退化；同时在终端区域制作掩蔽区和电荷存储岛，可以优化终端区域的电场分布，提高器件的终端效率。
主权项：1.一种宽禁带半导体MOSFET器件结构，其特征在于，器件元胞区域的栅极沟槽底部以及终端区均制作有掩蔽区，所述掩蔽区位于外延层中且其内部制作有电荷存储岛，所述电荷存储岛与掩蔽区的掺杂相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种宽禁带半导体MOSFET器件结构及其制作方法
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