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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2024-02-04
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118007090A
主分类号：C23C16/02
分类号：C23C16/02;C23C16/44;C23C16/458;C23C14/02;C23C14/56;H01J37/32
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本申请公开一种半导体工艺腔室，涉及半导体技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体和基座组件，腔室本体的容纳空间内可放置沉积盘，且沉积盘可在第一位置与第二位置之间切换，在沉积盘位于第一位置的情况下，沉积盘位于基座组件上方，且基座组件可支撑沉积盘以进行沉积工艺，使容纳空间内产生可轰击沉积盘的等离子体，以在腔室本体的内表面和基座组件的表面均形成保护层；在沉积盘位于第二位置的情况下，沉积盘与基座组件错开，基座组件可支撑晶圆以进行晶圆处理工艺。该方案能够解决目前在预还原工艺过程中工艺腔室内容易出现污染颗粒超标及晶圆的污染风险高、开腔维护所带来的影响工艺腔室的实际使用时间和工艺腔室的维护成本较高的问题。
主权项：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体100和基座组件200，所述基座组件200可升降地设置于所述腔室本体100的容纳空间内，所述容纳空间内可放置沉积盘300，且所述沉积盘300可在所述容纳空间的第一位置与第二位置之间切换，在所述沉积盘300位于所述第一位置的情况下，所述沉积盘300位于基座组件200上方，且所述基座组件200可支撑所述沉积盘300以进行沉积工艺，使所述容纳空间内产生可轰击所述沉积盘300的等离子体，以在所述腔室本体100的内表面和所述基座组件200的表面均形成保护层；在所述沉积盘300位于所述第二位置的情况下，所述沉积盘300与所述基座组件200错开，所述基座组件200可支撑晶圆800以进行晶圆处理工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室
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