申请/专利权人:南京理工大学
申请日:2022-10-31
公开(公告)日:2024-05-10
公开(公告)号:CN118019413A
主分类号:H10K71/00
分类号:H10K71/00;H10K50/115;H10K50/125;C01G15/00;B82Y30/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要:本发明公开了一种基于AgInZnS量子点协同激基复合物的变压调色QLED及其制备方法。所述方法通过在量子点层中添加有机分子,形成量子点—界面激基复合物的复合结构,进而通过调节电压来调控激基复合物和量子点之间的能量转移,成功制备了变压调色的电致发光器件。调控后的QLED器件可以实现红光到黄光,以及绿光到蓝光的EL光谱调节,进而实现了基于单层量子点的白光QLED器件的制备。
主权项:1.基于AgInZnS量子点协同激基复合物的变压调色QLED的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1将醋酸铟、醋酸银、锌源和硫脲混合,溶解在油胺、油酸和有机配体中,在氮气环境中加热至充分溶解,然后升温至220~250℃反应,反应结束后得到AgInZnS量子点原液,离心提纯,沉淀分散在分散溶剂中,得到纯化的AgInZnS量子点溶液,所述的分散溶剂为正己烷、正辛烷或甲苯,所述的锌源选自二水合醋酸锌或溴化锌,所述的有机配体选自正十二硫醇、1-辛硫醇或叔十二烷基硫醇;2在纯化的AgInZnS量子点溶液中添加有机分子作为激基复合物的电子供体,所述的有机分子选自mCP、PVK、TPD、TCTA、CDBP和NPNPB中的两种,两种有机分子等摩尔添加;3用添加有机分子的AgInZnS量子点构筑ITOPEDOT:PSSPVKAgInZnSQDsPO-T2TLiFAl结构的QLED器件。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 南京理工大学 基于AgInZnS量子点协同激基复合物的变压调色QLED及其制备方法
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