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申请/专利权人：内蒙古大全半导体有限公司
申请日：2024-02-04
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118007243A
主分类号：C30B33/10
分类号：C30B33/10;B08B3/08
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明为一种电子级多晶硅的化学清洗工艺。一种电子级多晶硅的化学清洗工艺，为：将硅料依次通过1‑7号槽进行清洗；其中，所述的1‑3号槽中均含有氢氟酸与浓硝酸，且氢氟酸在槽中的体积百分比逐级递减；所述的4号槽中含有氢氟酸和双氧水；所述的5号槽中含有氢氟酸与盐酸；所述的6‑7号槽中为高纯水；所述的氢氟酸的浓度为49wt％；所述的浓硝酸的浓度为69wt％；所述的盐酸的浓度为10‑15wt％。本发明所述的一种电子级多晶硅的化学清洗工艺，能够将电子级多晶硅表面金属杂质指标稳定控制在国标的水平，同时延长了化学药剂的使用寿命。
主权项：1.一种电子级多晶硅的化学清洗工艺，其特征在于，所述的化学清洗工艺为：将硅料依次通过1-7号槽进行清洗；其中，所述的1-3号槽中均含有氢氟酸与浓硝酸，且氢氟酸在槽中的体积百分比逐级递减；所述的4号槽中含有氢氟酸和双氧水；所述的5号槽中含有氢氟酸与盐酸；所述的6-7号槽中为高纯水；所述的氢氟酸的浓度为49wt％；所述的浓硝酸的浓度为69wt％；所述的盐酸的浓度为10-15wt％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 内蒙古大全半导体有限公司 一种电子级多晶硅的化学清洗工艺
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