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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2022-08-18
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118020398A
主分类号：H10B41/35
分类号：H10B41/35;H10B43/35;H10B41/20;H10B43/20;H01L21/02
优先权：["20210820 US 17/407,533"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过形成在基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。方法可包括在完全穿透形成在基板上的层堆叠之前中止蚀刻。方法可包括沿着基板上的层堆叠形成含碳材料层。含碳材料层可包括金属。方法可包括完全穿过基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。
主权项：1.一种半导体处理方法，包括以下步骤：部分地穿过形成在基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征；在完全穿透形成在所述基板上的所述层堆叠之前中止所述蚀刻；在所述基板上沿着所述层堆叠形成含碳材料层，其中所述含碳材料层包括金属；以及完全穿过所述基板上的所述层堆叠而蚀刻所述一个或多个特征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于3D NAND的分子层沉积衬垫
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