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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-08-01
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118019325A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20221108 KR 10-2022-0148192"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.10#公开
摘要：提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括：位线；绝缘覆盖图案，其位于位线上并且具有上切口部分；绝缘间隔物，其位于位线的侧壁和绝缘覆盖图案的侧壁上；下接触插塞；凹陷接触插塞，其连接到下接触插塞；雕刻绝缘图案，其位于绝缘覆盖图案和凹陷接触插塞上并且具有第一部分、第二部分和开口，所述第一部分接触绝缘覆盖图案的除了上切口部分之外的区域的顶表面，所述第二部分位于凹陷接触插塞的顶表面上，并且所述开口由第一部分和第二部分限定；以及导电着陆焊盘，其位于雕刻绝缘图案的开口中，所述导电着陆焊盘具有与绝缘覆盖图案的上切口部分接触的下角部分和与凹陷接触插塞的顶表面的第二部分接触的表面。
主权项：1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：位线，所述位线位于衬底上；绝缘覆盖图案，所述绝缘覆盖图案位于所述位线的顶表面上，所述绝缘覆盖图案具有在与所述衬底的顶表面大致垂直的垂直方向上与所述位线分开的上切口部分；绝缘间隔物，所述绝缘间隔物位于所述位线和所述绝缘覆盖图案中的每一者的侧壁上；下接触插塞，所述下接触插塞连接到所述衬底的有源区域，所述下接触插塞在与所述垂直方向垂直的第一横向方向上与所述位线分开，其中所述绝缘间隔物位于所述下接触插塞与所述位线之间；凹陷接触插塞，所述凹陷接触插塞在所述下接触插塞上并且连接到所述下接触插塞，所述凹陷接触插塞在所述第一横向方向上与所述绝缘覆盖图案分开，其中所述绝缘间隔物位于所述凹陷接触插塞与所述绝缘覆盖图案之间；雕刻绝缘图案，所述雕刻绝缘图案位于所述绝缘覆盖图案和所述凹陷接触插塞上，所述雕刻绝缘图案具有第一部分、第二部分和开口，所述第一部分与所述绝缘覆盖图案的除了所述上切口部分之外的区域的顶表面接触，所述第二部分位于所述凹陷接触插塞的顶表面的第一部分上，并且所述开口由所述第一部分和所述第二部分限定；以及导电着陆焊盘，所述导电着陆焊盘位于所述雕刻绝缘图案的所述开口中，所述导电着陆焊盘具有与所述绝缘覆盖图案的所述上切口部分接触的下角部分和与所述凹陷接触插塞的所述顶表面的第二部分接触的表面。
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