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申请/专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日：2023-12-27
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118003251A
主分类号：B24B55/06
分类号：B24B55/06;B08B3/04;B24B29/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明公开了一种防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，通过向保存水槽中添加表面活性剂的方式，打破了传统的放置在纯水中需要保持溢流的方法纯水的浪费现象。不仅在硅片表面形成保护膜可以延长产品放置时间并且有效防止硅片表面的污迹不良发生，同时解决了因放置时间长造成硅片表面污迹产生的技术问题。
主权项：1.一种防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于，停止保存水槽中纯水的溢流状态，向其中添加表面活性剂，然后将待保存硅片置于其中一定时间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法
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