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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-02-26
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118007065A
主分类号：C23C14/18
分类号：C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/54;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y15/00;C23C14/02;G01B7/16
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：一种PtWPt复合材料应变薄膜及其制备方法，属于薄膜传感器设计与生产技术领域。所述应变薄膜包括PtW层和Pt层；其中，PtW层的厚度为30～100nm，Pt层的厚度为300nm～2000nm，PtW层和Pt层的厚度比为1：10～20；PtW层中，W的质量百分含量为6～8％。本发明采用PtW和Pt双层薄膜结构，PtW层可以增强Pt在氧化物绝缘层上的附着力，抑制Pt的高温团聚，维持Pt薄膜的完整性和均匀性，保持Pt薄膜具有应变灵敏系数和高温稳定性，实现1000℃下应变的准确测量；同时严格控制PtW层和Pt层的厚度比，以及PtW层中W的含量，优化薄膜高温性能，保证薄膜在高温下对应变的准确测量。
主权项：1.一种PtWPt复合材料应变薄膜，其特征在于，所述应变薄膜包括PtW层，以及形成于PtW层之上的Pt层；其中，PtW层的厚度为30～100nm，Pt层的厚度为300nm～2000nm，PtW层和Pt层的厚度比为1：10～20；所述PtW层中，W的质量百分含量为6～8％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种PtW/Pt复合材料应变薄膜及其制备方法
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