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【发明公布】半导体结构及其制备方法、晶圆切割方法_北京弘图半导体有限公司_202410157714.7 

申请/专利权人:北京弘图半导体有限公司

申请日:2024-02-04

公开(公告)日:2024-05-10

公开(公告)号:CN118016684A

主分类号:H01L27/146

分类号:H01L27/146;H01L21/78

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要:本发明提供一种半导体结构及其制备方法、晶圆切割方法。其中,本发明提供的所述方法在每个所述芯片的保护环与对应的所述切割道之间设置至少两个深沟槽,且其中一个深沟槽靠近所述保护环的外侧边缘,并沿所述保护环的外周设置。基于此,靠近所述保护环外侧边缘设置的所述深沟槽用于作为所述芯片的保险屏障,实现对晶圆切割应力扩散的有效阻隔。而远离所述保护环的所述深沟槽用于在应力扩散过程中缓冲应力,并削弱应力能量,从而实现对应力扩散的多道阻挡,有效提高器件良率。并且,相较于现有技术在保护环上形成一个开口较大的深沟槽,本发明提供的所述方法不仅能够提高应力阻挡效果,还能够缩小所述深沟槽的开口尺寸,降低所述深沟槽占据缓冲区域的空间比例,同时还有助于缩小缓冲区域的尺寸,提高晶圆上芯片的占用率,降低器件制备成本。

主权项:1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,包括:提供一晶圆,所述晶圆上形成有多个芯片,所述芯片至少包括器件区以及包围所述器件区的保护环,且相邻所述芯片之间具有切割道;在每个所述芯片的所述保护环与对应的所述切割道之间设置至少两个深沟槽,且其中一个所述深沟槽靠近所述保护环的外侧边缘,并沿所述保护环的外周设置。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京弘图半导体有限公司 半导体结构及其制备方法、晶圆切割方法

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