龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：北京弘图半导体有限公司
申请日：2024-02-04
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016684A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146;H01L21/78
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法、晶圆切割方法。其中，本发明提供的所述方法在每个所述芯片的保护环与对应的所述切割道之间设置至少两个深沟槽，且其中一个深沟槽靠近所述保护环的外侧边缘，并沿所述保护环的外周设置。基于此，靠近所述保护环外侧边缘设置的所述深沟槽用于作为所述芯片的保险屏障，实现对晶圆切割应力扩散的有效阻隔。而远离所述保护环的所述深沟槽用于在应力扩散过程中缓冲应力，并削弱应力能量，从而实现对应力扩散的多道阻挡，有效提高器件良率。并且，相较于现有技术在保护环上形成一个开口较大的深沟槽，本发明提供的所述方法不仅能够提高应力阻挡效果，还能够缩小所述深沟槽的开口尺寸，降低所述深沟槽占据缓冲区域的空间比例，同时还有助于缩小缓冲区域的尺寸，提高晶圆上芯片的占用率，降低器件制备成本。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有多个芯片，所述芯片至少包括器件区以及包围所述器件区的保护环，且相邻所述芯片之间具有切割道；在每个所述芯片的所述保护环与对应的所述切割道之间设置至少两个深沟槽，且其中一个所述深沟槽靠近所述保护环的外侧边缘，并沿所述保护环的外周设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京弘图半导体有限公司 半导体结构及其制备方法、晶圆切割方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号