申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-02-06

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN118016527A

主分类号：H01L21/329

分类号：H01L21/329;H01L29/872;H01L29/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要：提供了一种肖特基势垒二极管能量转换器的制备方法，所述方法包括以下步骤：对衬底层进行离子注入，在所述衬底层内部形成损伤层，所述损伤层将所述衬底层间隔为第一衬底层和第二衬底层，所述第一衬底层位于离子注入经过区域；退火处理，使所述损伤层完全石墨化形成石墨层；在所述第一衬底层上依次外延生长非故意掺杂金刚石外延层和p型金刚石外延层；剥离得到包括所述第一衬底层、所述非故意掺杂金刚石外延层以及所述p型金刚石外延层的复合结构层；在所述复合结构层中的p型金刚石外延层一侧制备欧姆接触电极以及在第一衬底层一侧制备肖特基接触金属电极。

主权项：1.一种肖特基势垒二极管能量转换器的制备方法，其中，所述方法包括以下步骤：对衬底层进行离子注入，在所述衬底层内部形成损伤层，所述损伤层将所述衬底层间隔为第一衬底层和第二衬底层，所述第一衬底层位于离子注入经过区域；退火处理，使所述损伤层完全石墨化形成石墨层；在所述第一衬底层上外延生长非故意掺杂金刚石外延层；在所述非故意掺杂金刚石外延层上外延生长p型金刚石外延层；将所述第一衬底层、所述非故意掺杂金刚石外延层以及所述p型金刚石外延层整体剥离，得到包括所述第一衬底层、所述非故意掺杂金刚石外延层以及所述p型金刚石外延层的复合结构层；在所述复合结构层中的所述p型金刚石外延层一侧制备欧姆接触电极；以及在所述复合结构层中的所述第一衬底层一侧制备肖特基接触金属电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 肖特基势垒二极管能量转换器及其制备方法

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