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【发明公布】一种磁共振射频发射场驻波消除结构及其设计方法_西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学_202410215202.1 

申请/专利权人:西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学

申请日:2024-02-27

公开(公告)日:2024-05-10

公开(公告)号:CN118011295A

主分类号:G01R33/34

分类号:G01R33/34;A61B5/055

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要:本发明公开了一种磁共振射频发射场驻波消除结构及其设计方法,涉及磁共振成像技术领域。所述磁共振射频发射场驻波消除结构包括有用于放置在磁共振射频发射场的波导内的且填充在成像目标体与波导壁体之间的相速度匹配体,其中,所述相速度匹配体采用介电常数与所述成像目标体的平均介电常数相等或接近的介质材料制成,如此通过前述结构设计,可在应用于磁共振射频发射场的波导内后,使电磁波分别在成像目标体的周围区域中和在成像目标体中传播的相速度保持一致,进而可消除因相速度失配引起的二次驻波问题,便于实际应用和推广。

主权项:1.一种磁共振射频发射场驻波消除结构,其特征在于,包括有用于放置在磁共振射频发射场的波导内的且填充在成像目标体200与波导壁体之间的相速度匹配体400,其中,所述相速度匹配体400采用介电常数与所述成像目标体200的平均介电常数相等或接近的介质材料制成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学 一种磁共振射频发射场驻波消除结构及其设计方法

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