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申请/专利权人：深圳市硅格半导体有限公司;得一微电子股份有限公司
申请日：2023-12-20
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118012784A
主分类号：G06F12/02
分类号：G06F12/02;G06F12/1009
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明涉及内存访问领域，公开了一种内存的扩展访问方法、设备及存储介质。该方法包括：构建出重映射表，在只读存储器中构建出N个内存集合，在随机存储器中构建出M个存储对象，其中，M、N为正整数；建立N个内存集合与所述重映射表的第一映射关系，建立M个存储对象与所述重映射表的第二映射关系；基于所述第一映射关系和所述第二映射关系，在所述随机存储器中执行内存访问请求。在本发明实施例中，解决了当前只读存储器内部代码过于固定无法满足内存灵活变化需求的问题。
主权项：1.一种内存的扩展访问方法，其特征在于，包括步骤：构建出重映射表，在只读存储器中构建出N个内存集合，在随机存储器中构建出M个存储对象，其中，M、N为正整数；建立N个内存集合与所述重映射表的第一映射关系，建立M个存储对象与所述重映射表的第二映射关系；基于所述第一映射关系和所述第二映射关系，在所述随机存储器中执行内存访问请求。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市硅格半导体有限公司;得一微电子股份有限公司 内存的扩展访问方法、设备及存储介质
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