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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日：2024-02-02
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016629A
主分类号：H01L23/498
分类号：H01L23/498;H01L23/552;H01L23/04;H01L25/16;H01L21/52
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本申请适用于微电子封装技术领域，提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法，该封装结构包括：基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板。微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成；第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧，微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧；芯片和无源器件均设置在基板的上表面上；第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围，隔离电磁干扰；盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间，将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。本申请的方法能够在实现气密封装微同轴器件的同时，解决装配精度较低，IO互连引脚的节距大及数量少，需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。
主权项：1.一种一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，包括：基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板；所述微同轴结构、所述第一隔离墙和所述第二隔离墙从所述基板生长而成；所述第一隔离墙生长在所述基板的上表面的外侧，所述微同轴结构和所述第二隔离墙生长在所述基板的上表面的内侧；所述芯片和所述无源器件均设置在所述基板的上表面上；所述第二隔离墙设置在开放式的所述无源器件和所述芯片的周围，用于隔离电磁干扰；所述盖板与所述基板、所述第一隔离墙形成密封空间，将所述微同轴结构、所述芯片、所述无源器件和所述第二隔离墙密封在所述密封空间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法
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