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【发明公布】一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202410148673.5 

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日:2024-02-02

公开(公告)日:2024-05-10

公开(公告)号:CN118016629A

主分类号:H01L23/498

分类号:H01L23/498;H01L23/552;H01L23/04;H01L25/16;H01L21/52

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要:本申请适用于微电子封装技术领域,提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法,该封装结构包括:基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板。微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成;第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧,微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧;芯片和无源器件均设置在基板的上表面上;第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围,隔离电磁干扰;盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间,将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。本申请的方法能够在实现气密封装微同轴器件的同时,解决装配精度较低,IO互连引脚的节距大及数量少,需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。

主权项:1.一种一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,包括:基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板;所述微同轴结构、所述第一隔离墙和所述第二隔离墙从所述基板生长而成;所述第一隔离墙生长在所述基板的上表面的外侧,所述微同轴结构和所述第二隔离墙生长在所述基板的上表面的内侧;所述芯片和所述无源器件均设置在所述基板的上表面上;所述第二隔离墙设置在开放式的所述无源器件和所述芯片的周围,用于隔离电磁干扰;所述盖板与所述基板、所述第一隔离墙形成密封空间,将所述微同轴结构、所述芯片、所述无源器件和所述第二隔离墙密封在所述密封空间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第十三研究所 一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法

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