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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2024-02-05
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016531A
主分类号：H01L21/335
分类号：H01L21/335;H01L21/02;H01L29/778;H01L29/45
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明公开了一种改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用。该方法包括：提供异质结，异质结包括沟道层和势垒层，沟道层的表面包括第一区域和与第一区域邻接的第二区域，势垒层层叠设置在沟道层的第一区域，势垒层和沟道层之间形成有载流子沟道；在势垒层的表面形成第一掩膜、在第一掩膜的表面形成具有晶格择优取向的第二掩膜，第二掩膜能够使外延生长含Ga合金化合物所需的前驱体成核生长；同步在沟道层的第二区域、第二掩膜层上外延生长含Ga合金化合物。本发明避免了生长过程中Ga原子和N原子的迁移导致的不同面积窗口生长的含Ga合金化合物厚度不均匀的问题以及表面粗糙度大的问题。
主权项：1.一种改善含Ga二元多元合金化合物选区二次外延表面形貌的方法，其特征在于，包括：提供异质结，所述异质结包括沟道层和势垒层，所述沟道层的表面包括第一区域和与所述第一区域邻接的第二区域，所述势垒层层叠设置在所述沟道层的第一区域，所述势垒层和所述沟道层之间形成有载流子沟道；在所述势垒层的表面形成第一掩膜、在所述第一掩膜的表面形成具有晶格择优取向的第二掩膜，所述第二掩膜能够使外延生长含Ga二元多元合金化合物所需的前驱体成核生长；同步在所述沟道层的第二区域、所述第二掩膜层上外延生长n型掺杂的含Ga二元多元合金化合物，形成n型掺杂的含Ga二元多元合金化合物层，所述含Ga二元多元合金化合物还包含N、Al、In中的至少一种元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用
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