申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-23

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN118016622A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/52;H01L23/535;H01L23/31;H10B80/00

优先权：["20221109 KR 10-2022-0148407"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.10#公开

摘要：一种半导体封装件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括：电路层，位于第一衬底上；第一贯穿硅通路，穿过第一衬底；第一下凸块焊盘，位于电路层上；以及第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘，位于第一衬底的第二表面上，第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘中的每一者连接到对应的第一贯穿硅通路。所述半导体封装件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片包括位于第二衬底的第一表面上的电路层和位于第二衬底上的电路层上的第二下凸块焊盘。所述半导体封装件还包括用于接合第一上凸块焊盘和第二下凸块焊盘的第一焊料凸块以及用于接合第二上凸块焊盘和第二下凸块焊盘的多个第二焊料凸块。

主权项：1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：电路层，所述电路层位于第一衬底的第一表面上；第一贯穿硅通路，所述第一贯穿硅通路穿过所述第一衬底；第一下凸块焊盘，所述第一下凸块焊盘位于所述第一衬底上的所述电路层上，每个所述第一下凸块焊盘连接到所述第一贯穿硅通路中的对应的第一贯穿硅通路；以及第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘，所述第一上凸块焊盘和所述第二上凸块焊盘位于所述第一衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一衬底的所述第一表面相对，所述第一上凸块焊盘和所述第二上凸块焊盘中的每一者连接到所述第一贯穿硅通路中的对应的第一贯穿硅通路；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括：电路层，所述电路层位于第二衬底的第一表面上；以及第二下凸块焊盘，所述第二下凸块焊盘位于所述第二衬底上的所述电路层上；第一焊料凸块，所述第一焊料凸块位于所述第一上凸块焊盘和所述第二下凸块焊盘之间，以接合所述第一上凸块焊盘与所述第二下凸块焊盘；以及多个第二焊料凸块，所述多个第二焊料凸块位于所述第二上凸块焊盘和所述第二下凸块焊盘之间，以接合所述第二上凸块焊盘和所述第二下凸块焊盘，其中，所述多个第二焊料凸块在所述第二上凸块焊盘上彼此间隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体封装件

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