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【发明公布】反应腔室的清洁方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202410070897.9 

申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司

申请日:2024-01-17

公开(公告)日:2024-05-10

公开(公告)号:CN118016498A

主分类号:H01J37/32

分类号:H01J37/32;H01L21/67;B08B9/093

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要:本发明提供一种反应腔室的清洁方法,包括:步骤1提供一反应腔室,反应腔室包括气体喷嘴、边缘进气通道及摆阀;步骤2通过边缘进气管道通入清洁气体以清理形成于气体喷嘴内的聚合物;步骤3将摆阀处于闭合状态,并在第一腔室压力下利用第一惰性气体对形成于摆阀处的聚合物进行轰击,以将聚合物击散;步骤4将摆阀处于打开状态,并在第二腔室压力下利用第二惰性气体将击散的聚合物带走;步骤5对反应腔室进行抽气以将其内的聚合物抽出;其中,步骤2~步骤5为一个清洁周期,通过执行至少一个清洁周期以对气体喷嘴及摆阀进行清洁。通过本发明解决了现有的反应腔室清洁难度大、易造成产品报废的问题。

主权项:1.一种反应腔室的清洁方法,其特征在于,所述方法包括:步骤1提供一反应腔室,所述反应腔室包括气体喷嘴、边缘进气通道及摆阀,所述气体喷嘴设于所述反应腔室顶部的中心区域,所述边缘进气通道设于所述反应腔室靠近顶部的侧壁,所述摆阀设于所述反应腔室的底部且具有打开状态和闭合状态;步骤2通过所述边缘进气管道通入清洁气体以清理形成于所述气体喷嘴内的聚合物,其中,聚合物包括有机聚合物和无机聚合物;步骤3将所述摆阀处于闭合状态,并在第一腔室压力下利用第一惰性气体对形成于所述摆阀处的聚合物进行轰击,以将所述聚合物击散;步骤4将所述摆阀处于打开状态,并在第二腔室压力下利用第二惰性气体将击散的聚合物带走,其中,所述第二腔室压力小于所述第一腔室压力;步骤5对所述反应腔室进行抽气以将其内的聚合物抽出;其中,步骤2~步骤5为一个清洁周期,通过执行至少一个清洁周期以对所述气体喷嘴及所述摆阀进行清洁。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司 反应腔室的清洁方法

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