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申请/专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日：2023-07-20
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN116884976B
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L21/8238
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2023.10.31#实质审查的生效;2023.10.13#公开
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法、半导体晶圆。半导体器件具有第一器件区域和第二器件区域，包括第一、二结构层及第一、二组电极结构。第一结构层的材料为金刚石，第一结构层中位于第一器件区域和第二器件区域的两部分电性隔离；位于第二器件区域的第一结构层经过氢终端处理；第二结构层设于第一结构层的第一器件区域上，与第一结构层形成异质结结构；第二结构层的材料为AlN；第一组电极结构包括第一源极、第一栅极及第一漏极，设于第一器件区域并至少部分位于第二结构层背离第一结构层的一侧；第二组电极结构包括第二源极、第二栅极及第二漏极，设于位于第二器件区域的第一结构层之上，并与第一组电极结构位于第一结构层的同侧。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，具有第一器件区域和第二器件区域，包括：第一结构层，所述第一结构层的材料为金刚石，且所述第一结构层中位于第一器件区域和第二器件区域的两部分电性隔离；其中，位于所述第二器件区域的第一结构层经过氢终端处理；第二结构层，设于所述第一结构层的第一器件区域上，与位于所述第一器件区域的第一结构层在二者的界面处形成异质结结构；其中，所述第二结构层的材料为AlN；第一组电极结构，包括第一源极、第一栅极及第一漏极，设于所述第一器件区域并至少部分位于所述第二结构层背离所述第一结构层的一侧；第二组电极结构，包括第二源极、第二栅极及第二漏极，设于位于所述第二器件区域的第一结构层之上，并与所述第一组电极结构位于所述第一结构层的同侧；所述第一器件区域中所述第一结构层与所述第二结构层的界面处形成二维电子气，所述第一器件区域基于所述二维电子气形成N型晶体管；所述第二器件区域中所述第一结构层的表面处形成二维空穴气，所述第二器件区域基于所述二维空穴气形成P型晶体管；所述半导体器件为基于第一器件区域的二维电子气形成的N型晶体管和基于第二器件区域的二维空穴气形成的P型晶体管的CMOS器件或集成电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市汇芯通信技术有限公司 半导体器件及其制备方法、半导体晶圆
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