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一种低功耗EEPROM读取电路及其读取方法 

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申请/专利权人:江苏帝奥微电子股份有限公司

摘要:本发明公开了一种低功耗EEPROM读取电路及其读取方法,包含第一EEPROM单元、第二EEPROM单元、差分电路和输出电路,第一EEPROM单元的输出端与差分电路的第一输入端连接,第二EEPROM单元的输出端与差分电路的第二输入端连接,差分电路的输出端与输出电路的输入端连接,输出电路的输出端输出信号OUT,第一EEPROM单元和第二EEPROM单元中任意一个EEPROM单元的浮栅MOS管保持导通状态且第一EEPROM单元和第二EEPROM单元的浮栅MOS管的浮栅电压存在电压差。本发明对EEPROM单元的工艺要求更低,降低了EEPROM的成本,而且EEPROM读取时不存在工作电流,降低了EEPROM的功耗。

主权项:1.一种低功耗EEPROM读取电路,其特征在于:包含第一EEPROM单元、第二EEPROM单元、差分电路和输出电路,第一EEPROM单元的输出端与差分电路的第一输入端连接,第二EEPROM单元的输出端与差分电路的第二输入端连接,差分电路的输出端与输出电路的输入端连接,输出电路的输出端输出信号OUT,第一EEPROM单元和第二EEPROM单元中任意一个EEPROM单元的浮栅MOS管保持导通状态且第一EEPROM单元和第二EEPROM单元的浮栅MOS管的浮栅电压存在电压差;所述差分电路包含PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10和延迟电路DELAY,PMOS管M5的源极作为差分电路的第一输入端,PMOS管M6的源极作为差分电路的第二输入端,PMOS管M5的漏极与PMOS管M6的栅极、NMOS管M7的漏极、NMOS管M8的栅极和NMOS管M9的漏极连接并作为差分电路的第一输出端A,PMOS管M6的漏极与PMOS管M5的栅极、NMOS管M8的漏极、NMOS管M7的栅极和NMOS管M10的漏极连接并作为差分电路的第二输出端B,NMOS管M9的源极、NMOS管M7的源极、NMOS管M8的源极和NMOS管M10的源极接地,NMOS管M9的栅极和NMOS管M10的栅极连接延迟电路DELAY的输出端E,延迟电路DELAY的输入端连接控制信号ENB。

全文数据:

权利要求:

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