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【发明授权】QLED器件及其制备方法_安阳瑞森显示科技有限公司_202111133433.0 

申请/专利权人:安阳瑞森显示科技有限公司

申请日:2021-09-27

公开(公告)日:2024-05-10

公开(公告)号:CN113851593B

主分类号:H10K50/17

分类号:H10K50/17;H10K50/115;H10K71/30

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.10#授权;2024.04.16#专利申请权的转移;2022.01.14#实质审查的生效;2021.12.28#公开

摘要:一种QLED器件及其制备方法,属于QLED器件领域。QLED器件包括:依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层,复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜,复合空穴注入层具有与阳极连接的第一表面、以及远离阳极的第二表面,第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜,第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜。采用上述复合空穴注入层可避免PEDOT:PSS腐蚀阳极,保持复合空穴注入层和ITO玻璃基板界面接触的稳定性,且因复合空穴注入层与量子点发光层的能级更为适配,可增大空穴提取及注入效率,从而平衡载流子,改善器件性能,最终延长QLED器件使用寿命。

主权项:1.一种QLED器件,其特征在于,包括:依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层;其中,所述复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜,所述复合空穴注入层具有与所述阳极连接的第一表面、以及远离所述阳极的第二表面,所述第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜,所述第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜;所述铷掺杂氧化镍薄膜中,以氧化镍为基准,铷的掺杂量为10%mol。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安阳瑞森显示科技有限公司 QLED器件及其制备方法

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