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申请/专利权人：安阳瑞森显示科技有限公司
申请日：2021-09-27
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN113851593B
主分类号：H10K50/17
分类号：H10K50/17;H10K50/115;H10K71/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2024.04.16#专利申请权的转移;2022.01.14#实质审查的生效;2021.12.28#公开
摘要：一种QLED器件及其制备方法，属于QLED器件领域。QLED器件包括：依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层，复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜，复合空穴注入层具有与阳极连接的第一表面、以及远离阳极的第二表面，第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜，第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜。采用上述复合空穴注入层可避免PEDOT:PSS腐蚀阳极，保持复合空穴注入层和ITO玻璃基板界面接触的稳定性，且因复合空穴注入层与量子点发光层的能级更为适配，可增大空穴提取及注入效率，从而平衡载流子，改善器件性能，最终延长QLED器件使用寿命。
主权项：1.一种QLED器件，其特征在于，包括：依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层；其中，所述复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜，所述复合空穴注入层具有与所述阳极连接的第一表面、以及远离所述阳极的第二表面，所述第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜，所述第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜；所述铷掺杂氧化镍薄膜中，以氧化镍为基准，铷的掺杂量为10％mol。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安阳瑞森显示科技有限公司 QLED器件及其制备方法
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