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申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日：2021-12-29
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN114361017B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/027;H01L21/336
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开
摘要：本发明提供一种栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，栅极堆叠结构的形成方法包括：提供一衬底；形成功函数叠层；形成阻挡层覆盖功函数叠层；形成抗反射层填充栅极沟槽；去除所述第二区域的抗反射层及阻挡层；去除第二区域的部分功函数叠层；去除第一区域的抗反射层及阻挡层；在栅极沟槽内形成栅极导电层，以形成第一栅极堆叠结构及第二栅极堆叠结构。本发明中，通过在功函数叠层上形成阻挡层，利用阻挡层减少或避免在去除抗反射层时以及在去除阻挡层时损伤功函数叠层，并且同时不影响整个工艺过程的工艺窗口，从而解决在打开功函数叠层上的抗反射层时功函数叠层被损伤的问题，提高制造栅极叠层结构的良率。
主权项：1.一种栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上具有至少一个栅极沟槽，所述栅极沟槽包括第一区域及第二区域，所述第一区域及所述第二区域上均形成有鳍片；形成功函数叠层，所述功函数叠层覆盖所述栅极沟槽的内壁及所述鳍片的外壁；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述功函数叠层；形成抗反射层，所述抗反射层覆盖所述阻挡层，并填充所述栅极沟槽；形成图形化的光刻胶层，并以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述第二区域的抗反射层，以暴露所述第二区域的阻挡层，去除所述抗反射层时所述抗反射层的去除速率大于所述阻挡层的去除速率；去除所述第二区域的阻挡层，以暴露所述第二区域的功函数叠层，去除所述阻挡层时所述阻挡层的去除速率大于所述功函数叠层的去除速率；去除所述第二区域的部分功函数叠层；去除所述第一区域的抗反射层及所述第一区域的阻挡层，以暴露所述第一区域的功函数叠层；于所述栅极沟槽内形成栅极导电层，以在所述第一区域形成第一栅极堆叠结构，在所述第二区域形成第二栅极堆叠结构，所述第一栅极堆叠结构与所述第二栅极堆叠结构具有不同的阈值电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法
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