申请/专利权人：龙芯中科(南京)技术有限公司

申请日：2023-03-20

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN116301178B

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.10#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明提供一种带隙基准电路及芯片，第一负温度系数电路包括串联的第一场效应管和第一BJT晶体管，可生成第一负温度系数电压。第二负温度系数电路包括串联的第二场效应管和第二BJT晶体管，可生成第二负温度系数电压。第二场效应管上还连接有第一电阻，叠加电路连接于电源正极与第一电阻之间、以及电源正极与第一场效应管之间。叠加电路可基于第一负温度系数电压以及第二负温度系数电压得到正温度系数电压，并叠加后输出带隙基准电压。本发明可得到具有更低温度系数的带隙基准电压，从而，可提高带隙基准电压的稳定性。

主权项：1.一种带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括：第一负温度系数电路（10）、第二负温度系数电路（11）、第一电阻（R1）以及叠加电路（12）；所述第一负温度系数电路（10）包括串联的第一场效应管（M1）和第一BJT晶体管（Q1），所述第二负温度系数电路（11）包括串联的第二场效应管（M2）和第二BJT晶体管（Q2），所述第一电阻（R1）与所述第二场效应管（M2）串联，所述第一场效应管（M1）的栅极和漏极连接，所述第二场效应管（M2）的栅极和漏极连接；其中，所述第一BJT晶体管（Q1）和所述第二BJT晶体管（Q2）的电流大小不同；所述叠加电路（12）连接于电源正极（VDD）与所述第一电阻（R1）之间、以及电源正极（VDD）与所述第一场效应管（M1）的漏极之间，所述第一BJT晶体管（Q1）、所述第二BJT晶体管（Q2）的集电极和基极均接地；所述叠加电路（12）与所述第一场效应管（M1）之间的第一节点（a）用于生成第一负温度系数电压，所述第一电阻（R1）与所述第二场效应管（M2）之间的第二节点（b）用于生成第二负温度系数电压，所述叠加电路用于根据所述第一负温度系数电压以及所述第二负温度系数电压得到正温度系数电压，并叠加输出带隙基准电压；所述叠加电路（12）包括第一调节电路（121）、第二调节电路（122）和运算放大器（123）；所述第一调节电路（121）连接于电源正极（VDD）和所述第一场效应管（M1）之间，所述第二调节电路（122）连接于电源正极（VDD）和所述第一电阻（R1）之间；所述运算放大器（123）的负相输入端连接于所述第一节点（a）上，所述运算放大器（123）的正相输入端连接于所述第二调节电路（122）与所述第一电阻（R1）之间的第三节点（c）上，所述运算放大器（123）的输出端同时与所述第一调节电路（121）以及所述第二调节电路（122）的控制端连接；所述运算放大器（123）通过所述第一调节电路（121）、所述第二调节电路（122）控制所述第一节点（a）与所述第三节点（c）的电压相同，并通过所述第二调节电路（122）叠加输出所述带隙基准电压（）。

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