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申请/专利权人：浙江工业大学
申请日：2022-07-22
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN115124080B
主分类号：C01G31/02
分类号：C01G31/02;H01M4/485;H01M10/054;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.09.30#公开
摘要：本发明提供一种钒氧化物纳米片阵列及其制备方法、应用，所述制备方法包括将V2O5和还原剂于反应介质中发生还原反应，制得所述钒氧化物纳米片阵列。本发明通过将前驱体商业V2O5于温和的反应条件下还原制得钒氧化物纳米片阵列，同时改变其物相结构与微观形貌，整体提升了钒氧化物纳米片阵列的电化学性能；一步还原法工序简单，便于操作，易于产业化；采用本发明的制备方法得到的钒氧化物纳米片阵列具有较大的比表面积，层次分明且均一，材料结构稳定，具有优异的电化学性能，可作为正极活性材料应用在锌离子电池，可以与电解液更加充分地接触以提供更多的活性位点，同时，其较大的晶格间距可以存储更多的锌离子，从而整体提升其储锌性能。
主权项：1.一种钒氧化物纳米片阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将V2O5和还原剂于反应介质中发生还原反应，除杂、烘干后，制得所述钒氧化物纳米片阵列；所述还原剂为弱酸性强还原剂，所述弱酸性强还原剂选自抗坏血酸和亚硫酸氢钠中的一种；所述V2O5与还原剂的质量比为（1~10）:1；所述反应介质选自N,N-二甲基甲酰胺，二甲基亚砜和乙腈中的一种或多种；还原反应的温度为60~120℃，还原反应的时间为0.5~10h；所述钒氧化物纳米片阵列的分子式为V10O24·12H2O；所述钒氧化物纳米片阵列的比表面积为6~10m²g；所述钒氧化物纳米片阵列中，纳米片的厚度为10~20nm，纳米片的层间距为50~200nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江工业大学 一种钒氧化物纳米片阵列及其制备方法、应用
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