申请/专利权人：比亚迪半导体股份有限公司

申请日：2019-09-30

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN112582461B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.10#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.03.30#公开

摘要：本公开涉及一种平面栅SiCMOSFET及其制造方法，属于半导体领域，能够精准实现短沟道。一种平面栅SiCMOSFET的制造方法，包括：在外延区上形成第一掩膜；刻蚀所述第一掩膜，形成第一注入窗口；通过所述第一注入窗口在所述外延区中形成阱区；对剩余的所述第一掩膜进行刻蚀以增大所述第一注入窗口，得到第二注入窗口；通过所述第二注入窗口在所述阱区中形成浅沟道阱区，其中，所述浅沟道阱区的厚度被设置为能够将所述阱区的横向扩展对沟道端点位置的影响降低到可忽略程度的厚度；以及在形成了所述浅沟道阱区的所述阱区中形成源极区。

主权项：1.一种平面栅SiCMOSFET的制造方法，其特征在于，该方法包括：在外延区上形成第一掩膜；刻蚀所述第一掩膜，形成第一注入窗口；通过所述第一注入窗口在所述外延区中形成阱区；对剩余的所述第一掩膜进行刻蚀以增大所述第一注入窗口，得到第二注入窗口；通过所述第二注入窗口在所述阱区中形成浅沟道阱区，其中，所述浅沟道阱区的厚度被设置为能够将所述阱区的横向扩展对沟道端点位置的影响降低到可忽略程度的厚度；以及在形成了所述浅沟道阱区的所述阱区中形成源极区；所述通过所述第二注入窗口在所述阱区中形成浅沟道阱区，包括：通过自对准所述阱区的方式，在所述第二注入窗口中进行浅注入，以在所述阱区中形成所述浅沟道阱区，所述浅注入的浅沟道阱区对沟道横向移动重新定位；所述在形成了所述浅沟道阱区的所述阱区中形成源极区，包括：在所述浅沟道阱区和剩余的所述第一掩膜上形成第二掩膜；刻蚀所述第二掩膜，以在剩余的所述第一掩膜的侧壁上形成倾斜侧墙，其中所述倾斜侧墙的底部宽度大于顶部宽度；在所述浅沟道阱区的、未被所述倾斜侧墙和剩余的所述第一掩膜覆盖的区域中，通过自对准浅沟道阱区的方式进行注入形成所述源极区，所形成的源极区的边缘的形状与倾斜侧墙的倾斜表面的形状对准。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 比亚迪半导体股份有限公司 平面栅SiCMOSFET及其制造方法

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