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申请/专利权人：北京科技大学
摘要：本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法，包括：绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组；基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域，其中，悬空沟道区域用于抑制静态电流；第一电极组包括：输出电极和输入电极，介电层包括：第一介电层和第二介电层，第二电极组包括：驱动电极和接地电极。本发明制备的同质结型逻辑反相器制备方法简便可行，具有普适性，能够有效抑制了逻辑反相器运行时静态电流的上升，从而降低功耗，并且能够提高逻辑反相器的工作寿命和服役稳定性。
主权项：1.一种二维同质结型逻辑反相器，其特征在于，包括：绝缘衬底，从所述绝缘衬底依次往上的是第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组；所述介电层包括：第一介电层和第二介电层；所述第一电极组包括：输出电极和输入电极，所述输出电极和所述输入电极之间不相连；所述输出电极为L形，所述输出电极的短边上方与所述二维半导体层连接，所述输出电极左侧的L形长边上方与所述第一介电层连接，所述输出电极、所述第一介电层和所述二维半导体层形成悬空区域；悬空沟道区域与非悬空沟道区域之间在静电场作用下形成一个可调节的同质结势垒；所述第一介电层的长度比所述输出电极短，所述第二介电层的长度比所述输入电极略长，所述第二介电层设置于所述输入电极上方，并设置在所述输入电极和所述输出电极之间；所述第二电极组包括：驱动电极和接地电极；其中，所述驱动电极的左侧与所述二维半导体层的左侧对齐，所述驱动电极的长度比所述第一介电层短；所述接地电极的右侧与所述二维半导体层的右侧对齐，所述接地电极的长度比所述输入电极短。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京科技大学 一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法
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