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申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
申请日：2024-01-26
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN117637819B
主分类号：H01L29/207
分类号：H01L29/207;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开
摘要：本发明公开了一种氮化镓器件。该氮化镓器件包括：衬底；缓冲层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于缓冲层远离衬底的表面；缓冲层的第一表面为靠近衬底的表面，缓冲层的第二表面为缓冲层和沟道层接触的表面，缓冲层的第二表面侧的材料至少包括铝原子掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，铝原子和第Ⅲ主族原子的比值大于或等于2%，且小于或等于5%，缓冲层的第一表面侧的材料至少包括碳原子掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；缓冲层包括一层或者多个子层；势垒层位于沟道层远离缓冲层的表面；P型氮化物层位于势垒层远离沟道层的表面。本发明实施例提供的技术方案提高了沟道层、势垒层和P型氮化物层的良率，提升了氮化镓器件的电学性能的稳定性。
主权项：1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底之上；沟道层，所述沟道层位于所述缓冲层远离所述衬底的表面；所述缓冲层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述缓冲层的第一表面为靠近所述衬底的表面，所述缓冲层的第二表面为所述缓冲层和所述沟道层接触的表面，所述缓冲层的第二表面侧的材料至少包括铝原子掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，其中，所述铝原子和第Ⅲ主族原子的比值大于或等于2%，且小于或等于5%，所述缓冲层的第一表面侧的材料包括碳原子和铝原子掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，所述铝原子和第Ⅲ主族原子的比值大于或等于2%，且小于或等于5%；所述缓冲层位于第一表面侧和第二表面侧之间的材料为所述缓冲层内部的材料，所述缓冲层内部的材料中，所述铝原子和第Ⅲ主族原子的比值大于或等于2%，且小于或等于5%；所述缓冲层包括一层或者多个子层；势垒层，所述势垒层位于所述沟道层远离所述缓冲层的表面；P型氮化物层，所述P型氮化物层位于所述势垒层远离所述沟道层的表面；栅极，所述栅极位于所述P型氮化物层远离所述势垒层的表面；源极，所述源极位于所述势垒层远离所述沟道层的表面；漏极，所述漏极位于所述势垒层远离所述沟道层的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 一种氮化镓器件
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