申请/专利权人：微软技术许可有限责任公司

申请日：2020-02-11

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN113474839B

主分类号：G11C11/44

分类号：G11C11/44;H10N60/12;H03K3/38;H03K17/00;H03K19/195

优先权：["20190226 US 16/285,922"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.10#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.01#公开

摘要：公开了使用磁性约瑟夫森结MJJ器件作为π反相器的超导电路和存储器。MJJ器件包括被配置为允许超电流流过MJJ器件的超导层。MJJ器件还包括布置在超导层之间的磁性层，其中磁性层具有相关联的磁化方向，并且其中MJJ器件的第一状态对应于流过MJJ器件的超电流的零相位，并且MJJ器件的第二状态对应于流过MJJ器件的超电流的π相位。响应于磁场的施加，在磁性层的磁化方向没有任何改变的情况下，MJJ器件被配置为响应于超电流的相位的变化而从第一状态切换到第二状态。

主权项：1.一种可配置为处于第一状态或第二状态的磁性约瑟夫森结MJJ器件，所述MJJ器件包括：第一超导层；第二超导层，其中所述第一超导层和所述第二超导层中的每个被配置为允许超电流流过所述MJJ器件；以及磁性层，布置在所述第一超导层与所述第二超导层之间，其中所述磁性层具有相关联的磁化方向，并且其中所述MJJ器件的所述第一状态对应于流过所述MJJ器件的超电流的零相位，并且所述MJJ器件的所述第二状态对应于流过所述MJJ器件的所述超电流的π相位，并且其中响应于磁场的施加，在所述磁性层的所述磁化方向没有任何改变的情况下，并且，如果有与所述MJJ器件相关联的其他磁性层，在所述其他磁性层中的每个磁性层的磁化方向没有任何改变的情况下，所述MJJ器件被配置为响应于由所述磁场到所述磁性层的所述施加引起的所述超电流的相位从所述零相位到所述π相位或从所述π相位到所述零相位的变化而从所述第一状态切换到所述第二状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 微软技术许可有限责任公司 使用磁约瑟夫森结器件作为π反相器

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