申请/专利权人:杭州邦齐州科技有限公司
申请日:2023-09-14
公开(公告)日:2024-05-10
公开(公告)号:CN220933226U
主分类号:G02B5/18
分类号:G02B5/18
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.05.10#授权
摘要:本实用新型公开了一种微纳光栅,包括碳化硅基底、光催化层和保护层。碳化硅基底的一侧具有刻蚀结构。光催化层沉积于碳化硅基底上,光催化层填充刻蚀结构。保护层沉积于光催化层上,保护层用于保护光催化层。相比于现有技术,本实用新型通过合理选择微纳光栅的结构及材质,降低微纳光栅的报废率,从而节约成本。
主权项:1.一种微纳光栅,其特征在于,包括:碳化硅基底,所述碳化硅基底的一侧具有刻蚀结构;沉积于所述碳化硅基底上的光催化层,所述光催化层填充所述刻蚀结构;沉积于所述光催化层上的保护层,所述保护层用于保护所述光催化层。
全文数据:
权利要求:
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