申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022-11-15
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118053772A
主分类号:H01L21/60
分类号:H01L21/60;H01L23/482;H01L23/485
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:一种晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法,晶圆包括键合区,所述键合区包括阵列排布的芯片区和位于芯片区之间的切割道区,所述晶圆包括:基底;介质层,位于所述基底上,所述介质层露出的表面为键合面;凹槽,至少位于所述切割道区靠近所述晶圆边缘的介质层中;保护层,填充于所述凹槽内;所述保护层用于在实现多个晶圆的键合面之间的键合时相对设置并形成烧结体。本发明实施例降低晶圆边缘的膜层结构在工艺制程中发生脱落问题的几率,提升晶圆封装的可靠性和封装良率。
主权项:1.一种晶圆,包括键合区,所述键合区包括阵列排布的芯片区和位于芯片区之间的切割道区,其特征在于,所述晶圆包括:基底;介质层,位于所述基底上,所述介质层露出的表面为键合面;凹槽,至少位于所述切割道区靠近所述晶圆边缘的介质层中;保护层,填充于所述凹槽内;所述保护层用于在实现多个晶圆的键合面之间的键合时相对设置并形成烧结体。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。