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申请/专利权人：华东师范大学
申请日：2022-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118050342A
主分类号：G01N21/65
分类号：G01N21/65
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了一种基于等离子共振增强的电荷转移拉曼增强基底材料及其制备方法。首先，以Cu2O纳米线作为基本单元，通过自组装的方式制备了具有拉曼增强因子高达3.19×1010的新型表面增强拉曼光谱SERS基底——Cu2O纳米阵列；其次，通过表面修饰与纳米材料共组装，成功实现了Cu2O纳米阵列间距的大范围调控；最后，利用Cu2O纳米阵列对信号分子PTCDA极高的SERS灵敏度与选择性，以特定核酸序列为miR‑34c的特异性识别单元，构建了基于Cu2O纳米阵列的miR‑34c拉曼分析芯片，实现了代表性miR‑34c的快速分析检测，其不仅特异性好，可实现单碱基错配识别，而且具有灵敏度高检测限0.06fM、分析速度快、操作简单，便携等特点。
主权项：1.一种基于等离子共振增强的电荷转移拉曼增强基底材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1Cu2O纳米线的制备：Cu2O纳米线通过水热法将含有醋酸铜CuAc2、超纯水、邻甲氧基苯胺的溶液至于水热反应釜中经高温处理后得到；2Cu2O纳米阵列的制备与间距调控：对所述Cu2O纳米线进行表面改性，后通过离心分离得到表面改性的Cu2O；基于Langmuir-Blodgett方法，在油水界面进行改性的Cu2O纳米线的自组装，并置于烘箱中干燥得到最终产物Cu2O纳米阵列；或通过改变Cu2O纳米线表面活性剂分子量与种类，进行自组装，实现Cu2O纳米阵列的间距调控。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东师范大学 一种基于等离子共振增强的电荷转移拉曼增强基底材料、制备及其应用
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