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【发明公布】半导体光刻胶组合物和使用组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202311347353.4 

申请/专利权人:三星SDI株式会社

申请日:2023-10-18

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118050954A

主分类号:G03F7/004

分类号:G03F7/004;G03F7/20

优先权:["20221116 KR 10-2022-0153722"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:公开一种半导体光刻胶组合物,包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂;以及一种使用其形成图案的方法。

主权项:1.一种半导体光刻胶组合物,包括:由化学式1表示的有机锡化合物;以及溶剂:[化学式1] 其中,在化学式1中,X1到X6各自独立地为O或S,L1到L3各自独立地为单键、经取代或未经取代的二价C1到C20饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的二价C3到C20饱和或不饱和脂环族烃基、具有至少一个双键或三键的经取代或未经取代的二价C2到C20不饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的二价C6到C20芳族烃基、-C=O-,或其组合,Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf以及R1到R3各自独立地为氢、卤素、经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C3到C20环烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C3到C20环炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基,或其组合,以及R4为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C3到C20环烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C3到C20环炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基,或其组合。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星SDI株式会社 半导体光刻胶组合物和使用组合物形成图案的方法

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