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申请/专利权人：清华大学
申请日：2024-01-10
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118050410A
主分类号：G01N27/414
分类号：G01N27/414
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了金栅AlGaNGaN异质结构pH传感器及其制备方法和应用。金栅AlGaNGaN异质结构pH传感器包括：衬底和外延结构，外延结构包括GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层，GaN缓冲层位于衬底的一侧，GaN沟道层位于GaN缓冲层远离衬底的一侧，AlGaN势垒层位于GaN沟道层远离衬底的一侧，GaN帽层位于AlGaN势垒层远离衬底的一侧；金栅，金栅位于AlGaN势垒层远离衬底的部分表面上，或者，金栅位于GaN帽层远离衬底的部分表面上；漏极和源极，漏极和源极位于GaN帽层远离衬底的一侧，金栅在衬底上的正投影位于漏极在衬底上的正投影和源极在衬底上的正投影之间；钝化层；保护层，保护层覆盖钝化层远离衬底的至少部分表面。该传感器可以用于测量溶液的pH值，并且，具有较高的灵敏度。
主权项：1.一种金栅AlGaNGaN异质结构pH传感器，其特征在于，包括：衬底和外延结构，所述外延结构包括GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层，所述GaN缓冲层位于所述衬底的一侧，所述GaN沟道层位于所述GaN缓冲层远离所述衬底的一侧，所述AlGaN势垒层位于所述GaN沟道层远离所述衬底的一侧，所述GaN帽层位于所述AlGaN势垒层远离所述衬底的一侧；金栅，所述金栅位于AlGaN势垒层远离所述衬底的部分表面上，或者，所述金栅位于所述GaN帽层远离所述衬底的部分表面上；漏极和源极，所述漏极和所述源极位于所述GaN帽层远离所述衬底的一侧，所述金栅在所述衬底上的正投影位于所述漏极在所述衬底上的正投影和所述源极在所述衬底上的正投影之间；钝化层，所述钝化层覆盖所述漏极远离所述衬底的部分表面、所述源极远离所述衬底的部分表面、所述GaN帽层远离所述衬底的部分表面；保护层，所述保护层覆盖所述钝化层远离所述衬底的至少部分表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 金栅AlGaN/GaN异质结构pH传感器及其制备方法和应用
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