龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日：2024-01-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118046257A
主分类号：B24B1/00
分类号：B24B1/00;H01L21/02;B24B7/22;B24B29/02;B24B41/06;B24B49/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了氧化镓衬底减薄方法、衬底及超宽禁带半导体，该方法包括：将待减薄的氧化镓衬底放置于晶圆中心预制的孔洞中；孔洞的尺寸与待减薄的氧化镓衬底的尺寸相同；将待减薄的氧化镓衬底和晶圆固定于载物盘上；依次对待减薄的氧化镓衬底的背面和晶圆的背面进行研磨处理和抛光处理；取出完成抛光处理的待减薄的氧化镓衬底和晶圆，得到完成减薄的氧化镓衬底。本申请以实现对氧化镓衬底的持续减薄，能够减薄至100μm以下且具有较高的成品率。
主权项：1.一种氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，包括：将待减薄的氧化镓衬底放置于晶圆中心预制的孔洞中；所述孔洞的尺寸与所述待减薄的氧化镓衬底的尺寸相同；将所述待减薄的氧化镓衬底和所述晶圆固定于载物盘上；依次对所述待减薄的氧化镓衬底的背面和所述晶圆的背面进行研磨处理和抛光处理；取出完成抛光处理的所述待减薄的氧化镓衬底和所述晶圆，得到完成减薄的氧化镓衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 氧化镓衬底减薄方法、衬底及超宽禁带半导体
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号