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申请/专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日：2024-02-02
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053749A
主分类号：H01L21/3205
分类号：H01L21/3205;H01L21/223;H01L21/265;H01L21/332;H01L29/74;C23C14/24;C23C14/58
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请提供一种可控硅芯片制作方法及可控硅芯片，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供一包括第一表面和第二表面的硅片；在第一表面及第二表面蒸发金属，形成第一金属层及第二金属层；根据第一金属层及第二金属层对硅片进行预扩散，在硅片内部形成第一预扩散层，在硅片内部形成第二预扩散层；在第一表面形成第一氧化层，在第一氧化层形成第一硼层；在第二表面第二氧化层，在第二氧化层形成第二硼层；根据第一预扩散层及第二预扩散层对硅片进行主扩散，从而得到可控硅芯片。在上述设计中，通过在第一表面及第二表面蒸发金属，并根据第一金属层及第二金属层对硅片进行预扩散，形成P型低掺杂区，可以提高生产效率，降低生产成本。
主权项：1.一种可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅片，所述硅片包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面；在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层；根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散，在所述硅片内部靠近所述第一表面的一侧形成第一预扩散层，在所述硅片内部靠近所述第二表面的一侧形成第二预扩散层；在所述第一表面远离所述第一预扩散层的一侧形成第一氧化层，在所述第一氧化层远离所述第一表面的一侧形成第一硼层；在所述第二表面远离所述第二预扩散层的一侧形成第二氧化层，在所述第二氧化层远离所述第二表面的一侧形成第二硼层；根据所述第一预扩散层及所述第二预扩散层对所述硅片进行主扩散，在所述第一表面远离所述第一氧化层的一侧形成第三金属层，在所述第二表面远离所述第二氧化层的一侧形成第四金属层，从而得到可控硅芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉林华微电子股份有限公司 可控硅芯片制作方法及可控硅芯片
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